Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SC5129 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 15A
- **Collector Dissipation (PC)**: 150W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5129 transistor and are intended for use in high-power amplification and switching applications.