High speed switching transistor (60V, 5A) The 2SC5103TLQ is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by ROHM. It is designed for use in applications such as RF amplifiers and high-speed switching circuits. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 7GHz
- **Package**: SOT-343 (SC-82)

These specifications are typical for the 2SC5103TLQ transistor and are subject to variation based on operating conditions.

High speed switching transistor (60V, 5A) The 2SC5103TLQ is a transistor manufactured by ROHM. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-252 (DPAK)

This transistor is commonly used in applications requiring high-speed switching and amplification, such as in RF and communication circuits.

High speed switching transistor (60V, 5A) The 2SC5103TLQ is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications, particularly in VHF to UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1.5W
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-89

These specifications make it suitable for applications such as RF amplifiers, oscillators, and other high-frequency circuits.