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2SC4617T1G from ON,ON Semiconductor

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2SC4617T1G

Manufacturer: ON

NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC4617T1G ON 14895 In Stock

Description and Introduction

NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT The 2SC4617T1G is a high-frequency transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for use in RF and microwave applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-523 (SC-89)
- **Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 12 V
- **Collector Current (IC)**: 50 mA
- **Power Dissipation (PD)**: 150 mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7 GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2 dB (typical at 1 GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is suitable for low-noise amplification in communication systems, such as mobile phones and wireless devices.

Application Scenarios & Design Considerations

NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT # Technical Documentation: 2SC4617T1G NPN Bipolar Junction Transistor

 Manufacturer : ON Semiconductor  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : [Current Date]

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SC4617T1G is a high-frequency NPN bipolar junction transistor (BJT) specifically designed for RF amplification applications. Its primary use cases include:

-  VHF/UHF Amplifier Stages : Excellent performance in 30-900 MHz frequency range
-  Oscillator Circuits : Stable operation in Colpitts and Clapp oscillator configurations
-  Driver Amplifiers : Suitable for driving final RF power stages in transmitter systems
-  Low-Noise Amplifiers (LNAs) : Front-end amplification in receiver systems
-  Impedance Matching Networks : Buffer stages between different impedance sections

### Industry Applications
 Telecommunications 
- Mobile radio systems (VHF/UHF bands)
- Two-way radio equipment
- Wireless data transmission modules
- Base station auxiliary circuits

 Consumer Electronics 
- TV tuner circuits
- Satellite receiver front-ends
- Cable modem RF sections
- Wireless microphone systems

 Industrial Systems 
- RFID reader circuits
- Industrial telemetry
- Remote sensor networks
- Test and measurement equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High transition frequency (fT = 1.1 GHz typical) enables excellent high-frequency performance
- Low noise figure (3.0 dB typical at 100 MHz) suitable for sensitive receiver applications
- Moderate power handling capability (PC = 150 mW) for small-signal amplification
- Compact SOT-523 package saves board space in dense layouts
- Good linearity characteristics reduce distortion in amplification stages

 Limitations: 
- Limited power handling capacity restricts use to small-signal applications
- Requires careful thermal management in high-ambient temperature environments
- Moderate current gain (hFE = 40-200) may require additional gain stages
- Sensitivity to electrostatic discharge (ESD) necessitates proper handling procedures

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
*Pitfall*: Overheating in continuous operation due to inadequate heat dissipation
*Solution*: Implement proper PCB copper pours for heat sinking and monitor junction temperature

 Oscillation Problems 
*Pitfall*: Unwanted oscillations in high-gain configurations
*Solution*: Use proper decoupling capacitors, minimize lead lengths, and implement stability networks

 Impedance Mismatch 
*Pitfall*: Poor power transfer due to incorrect impedance matching
*Solution*: Implement proper matching networks using Smith chart techniques

### Compatibility Issues with Other Components

 Bias Circuit Compatibility 
- Requires stable DC bias networks with good temperature compensation
- Compatible with common emitter, common base, and common collector configurations
- Ensure proper voltage and current ratings of associated passive components

 RF Circuit Integration 
- Works well with standard RF components (inductors, capacitors, transmission lines)
- May require impedance transformation when interfacing with 50Ω systems
- Compatible with microstrip and stripline PCB technologies

### PCB Layout Recommendations

 General Layout Guidelines 
- Minimize parasitic inductance by keeping all connections as short as possible
- Use ground planes extensively for improved RF performance and shielding
- Implement proper DC blocking and RF choking where required

 RF-Specific Considerations 
- Maintain controlled impedance transmission lines for RF paths
- Use via fences around critical RF sections to prevent radiation and crosstalk
- Separate RF and digital sections to minimize interference

 Power Supply Decoupling 
- Place decoupling capacitors (100 pF and 0.1 μF) close to supply pins
- Use multiple vias to connect decoupling capacitor grounds to the ground plane
-

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