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2SC4617 TLQ from ROHM

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2SC4617 TLQ

Manufacturer: ROHM

General purpose transistor (50V, 0.15A)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC4617 TLQ,2SC4617TLQ ROHM 215000 In Stock

Description and Introduction

General purpose transistor (50V, 0.15A) The 2SC4617 TLQ is a transistor manufactured by ROHM. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Package**: TLQ (Miniature Mold)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Collector Dissipation (PC)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 560 (at VCE=6V, IC=2mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz (at VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz)
- **Capacitance (Cob)**: 2.5pF (at VCB=10V, IE=0, f=1MHz)

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.

Application Scenarios & Design Considerations

General purpose transistor (50V, 0.15A) # Technical Documentation: 2SC4617TLQ Bipolar Junction Transistor

 Manufacturer : ROHM Semiconductor
 Document Version : 1.0
 Last Updated : [Current Date]

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SC4617TLQ is a high-frequency, low-noise NPN bipolar junction transistor specifically designed for RF and microwave applications. Its primary use cases include:

 Amplification Circuits 
-  Low-Noise Amplifiers (LNAs) : Excellent for receiver front-ends in communication systems
-  Intermediate Frequency (IF) Amplifiers : Suitable for 30-200 MHz frequency ranges
-  Driver Amplifiers : Capable of driving subsequent power amplification stages
-  Oscillator Circuits : Stable performance in local oscillator designs

 Signal Processing Applications 
-  Mixer Circuits : Used as active mixing elements in frequency conversion
-  Buffer Amplifiers : Provides isolation between circuit stages
-  AGC Circuits : Suitable for automatic gain control applications

### Industry Applications

 Telecommunications 
-  Mobile Handsets : Front-end receiver circuits in 800-1900 MHz bands
-  Base Stations : Receiver modules and signal conditioning circuits
-  Wireless LAN : 2.4 GHz and 5 GHz band applications
-  GPS Receivers : L-band signal amplification (1575.42 MHz)

 Consumer Electronics 
-  Television Tuners : VHF/UHF band amplification
-  Satellite Receivers : LNB (Low-Noise Block) applications
-  Cordless Phones : 900 MHz and 2.4 GHz systems

 Industrial Systems 
-  RFID Readers : 13.56 MHz and UHF band applications
-  Wireless Sensors : Data transmission circuits
-  Test Equipment : Signal generation and measurement instruments

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages 
-  Low Noise Figure : Typically 1.3 dB at 1 GHz, making it ideal for sensitive receiver applications
-  High Transition Frequency (fT) : 7 GHz minimum ensures excellent high-frequency performance
-  Good Gain Characteristics : |S21|² > 15 dB at 1 GHz provides substantial signal amplification
-  Surface Mount Package : TUMT6 package enables compact PCB designs
-  Robust Construction : Suitable for automated assembly processes

 Limitations 
-  Limited Power Handling : Maximum collector current of 50 mA restricts high-power applications
-  Voltage Constraints : VCEO of 12V limits use in higher voltage systems
-  Thermal Considerations : Requires proper heat management in continuous operation
-  Frequency Range : Optimal performance up to 3 GHz, with degradation above 5 GHz

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Impedance Matching Issues 
-  Pitfall : Poor input/output matching leading to signal reflection and reduced gain
-  Solution : Implement proper matching networks using Smith chart analysis
-  Implementation : Use series inductors and shunt capacitors for 50Ω matching

 Bias Stability Problems 
-  Pitfall : Thermal runaway due to improper biasing
-  Solution : Implement emitter degeneration and stable bias networks
-  Implementation : Use current mirror circuits or voltage divider biasing with temperature compensation

 Oscillation Prevention 
-  Pitfall : Unwanted oscillations due to parasitic feedback
-  Solution : Proper grounding and decoupling techniques
-  Implementation : Include RF chokes and bypass capacitors in bias lines

### Compatibility Issues with Other Components

 Passive Components 
-  Capacitors : Use high-Q RF capacitors (NP0/C0G dielectric) for matching networks
-  Inductors : Select high-Q wirewound or multilayer inductors with SRF above operating frequency
-  Resistors : Prefer thin-film resistors for

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