IC Phoenix logo

Home ›  2  › 216 > 2SC4004

2SC4004 from PAN,Panasonic

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

2SC4004

Manufacturer: PAN

Power Device

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC4004 PAN 10 In Stock

Description and Introduction

Power Device The 2SC4004 is a high-frequency transistor manufactured by PAN (Panasonic). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 600MHz

These specifications are based on the datasheet provided by PAN (Panasonic).

Application Scenarios & Design Considerations

Power Device# Technical Documentation: 2SC4004 NPN Silicon Transistor

 Manufacturer : PAN (Panasonic)

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SC4004 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) primarily designed for  power switching applications  and  high-voltage amplification circuits . Typical implementations include:

-  Switching Regulators : Used as the main switching element in flyback and forward converters operating at voltages up to 800V
-  CRT Display Systems : Horizontal deflection circuits and high-voltage video amplification in cathode ray tube monitors and televisions
-  Industrial Control Systems : Motor drive circuits, solenoid drivers, and relay replacements requiring high-voltage handling capability
-  Power Supply Units : Primary-side switching in offline SMPS (Switch-Mode Power Supplies) and inverter circuits
-  Electronic Ballasts : Fluorescent lamp ballast circuits and HID lighting control systems

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : CRT-based television sets, monitors, and vintage audio equipment
-  Industrial Automation : High-voltage control systems, power controllers, and industrial heating equipment
-  Telecommunications : Power management circuits in telecom infrastructure equipment
-  Lighting Industry : High-intensity discharge lamp ballasts and professional lighting systems
-  Medical Equipment : High-voltage power supplies for medical imaging and diagnostic equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : Collector-emitter voltage (VCEO) rating of 800V enables operation in demanding high-voltage environments
-  Fast Switching Speed : Typical transition frequency (fT) of 4MHz allows for efficient high-frequency switching applications
-  Robust Construction : TO-220 package provides excellent thermal performance and mechanical durability
-  Good Current Handling : Maximum collector current (IC) of 7A supports substantial power handling requirements
-  Cost-Effective : Economical solution for high-voltage applications compared to specialized alternatives

 Limitations: 
-  Obsolete Technology : Being a BJT, it lacks the efficiency advantages of modern MOSFETs in high-frequency applications
-  Limited Frequency Performance : Not suitable for very high-frequency switching (>100kHz) due to storage time limitations
-  Drive Circuit Complexity : Requires proper base drive circuitry with adequate current sourcing capability
-  Thermal Considerations : Requires proper heat sinking for maximum power dissipation applications
-  Availability Concerns : May be subject to obsolescence in favor of more modern semiconductor technologies

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Base Drive 
-  Problem : Insufficient base current leading to transistor operating in linear region, causing excessive power dissipation
-  Solution : Implement proper base drive circuit with current limiting resistor calculated using IB = IC/hFE(min)

 Pitfall 2: Voltage Spikes and SOA Violation 
-  Problem : Inductive load switching causing voltage spikes exceeding VCEO rating
-  Solution : Incorporate snubber circuits and ensure operation within Safe Operating Area (SOA) boundaries

 Pitfall 3: Thermal Runaway 
-  Problem : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway and device failure
-  Solution : Proper thermal management using appropriate heat sinks and thermal interface materials

 Pitfall 4: Secondary Breakdown 
-  Problem : Operation at high voltage and current simultaneously causing device failure
-  Solution : Implement derating guidelines and operate within specified SOA limits

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility: 
- Requires driver ICs capable of sourcing sufficient base current (typically 100-500mA)
- Compatible with standard transistor driver ICs like UC3842, TL494, and discrete driver stages
- May require level shifting when interfacing with low-voltage microcontroller outputs

 Passive Component Selection: 
- Base resistors must be power-rated for the drive current

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SC4004 Panasonic 160 In Stock

Description and Introduction

Power Device The 2SC4004 is a high-frequency transistor manufactured by Panasonic. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBW)**: Not explicitly stated in the provided data
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by Panasonic for the 2SC4004 transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

Power Device# Technical Documentation: 2SC4004 NPN Silicon Transistor

 Manufacturer : Panasonic  
 Component Type : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SC4004 is primarily employed in  medium-power amplification circuits  and  switching applications  requiring robust performance characteristics. Common implementations include:

-  Audio Frequency Amplification : Used in output stages of audio amplifiers (20Hz-20kHz range) where its 1A continuous collector current capability provides sufficient drive for speakers and audio transducers
-  Power Supply Regulation : Functions as series pass elements in linear voltage regulators, leveraging its 80V collector-emitter voltage rating for medium-voltage applications
-  Motor Drive Circuits : Suitable for DC motor control in appliances and industrial equipment, handling inductive load switching with appropriate protection
-  Relay and Solenoid Drivers : Provides reliable switching for electromagnetic loads in automotive and industrial control systems

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Audio systems, television vertical deflection circuits, and power management subsystems
-  Industrial Automation : Motor controllers, solenoid drivers, and power supply units for control systems
-  Automotive Electronics : Power window motors, fan controllers, and various actuator drivers (with proper environmental considerations)
-  Telecommunications : Power amplification in communication equipment and switching power supply circuits

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : 80V VCEO rating suitable for line-operated equipment
-  Good Current Handling : 1A continuous collector current supports moderate power applications
-  Excellent Frequency Response : Transition frequency (fT) of 120MHz enables use in RF and fast-switching circuits
-  Robust Construction : TO-220 package provides effective thermal management for power dissipation up to 30W
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-power applications compared to specialized power devices

 Limitations: 
-  Thermal Considerations : Requires adequate heatsinking for continuous operation above 1W dissipation
-  Voltage Margin : Not suitable for high-voltage applications exceeding 80V VCEO
-  Beta Variation : DC current gain (hFE) ranges from 60-320, requiring circuit designs tolerant of parameter spread
-  Aging Effects : Like all bipolar transistors, parameters may drift with prolonged high-temperature operation

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
-  Pitfall : Insufficient thermal management causing uncontrolled current increase
-  Solution : Implement emitter degeneration resistors (0.1-1Ω) and ensure proper heatsinking (θJA < 40°C/W)

 Secondary Breakdown 
-  Pitfall : Operating in unsafe operating area (SOA) leading to device failure
-  Solution : Stay within specified SOA curves, use snubber circuits for inductive loads

 Storage Time Delay 
-  Pitfall : Slow switching in saturation region affecting high-frequency performance
-  Solution : Implement Baker clamp circuits or speed-up capacitors in base drive

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (typically 20-50mA for full saturation)
- Compatible with standard logic families (TTL/CMOS) when using appropriate interface circuits
- May require level shifting when interfacing with low-voltage microcontrollers

 Protection Component Requirements 
-  Reverse Bias Protection : Essential when driving inductive loads
-  Overcurrent Protection : Fuses or current-limiting circuits recommended for fault conditions
-  ESD Sensitivity : Standard ESD precautions required during handling and assembly

### PCB Layout Recommendations

 Thermal Management 
- Use generous copper pours connected to the collector tab for heat dissipation
- Minimum 2oz copper weight recommended for power traces
- Thermal vias under the device package to transfer heat to bottom layer

 

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips