isc Silicon PNP Darlington Power Transistor The TOS (Terms of Service) specifications for the 2SB677 transistor are not explicitly detailed in the provided knowledge base. Typically, TOS for electronic components like transistors would include information on operating conditions, such as voltage, current, temperature ranges, and other electrical characteristics. For specific TOS details, it is recommended to refer to the official datasheet or documentation provided by the manufacturer.

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor The 2SB677 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Power Dissipation (PC):** 25W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Operating Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB677 transistor, and actual performance may vary based on operating conditions.