Silicon PNP Power Transistors TO-220C package The 2SB676 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various companies, including Toshiba. The key specifications for the 2SB676 transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -32V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -32V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Power Dissipation (Pd)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Package**: TO-126

These specifications are typical for the 2SB676 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.