Silicon PNP Power Transistors The 2SB675 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various companies, including Toshiba. Below are the key specifications for the 2SB675 transistor based on the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-126

These specifications are typical for the 2SB675 transistor and are subject to variations based on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.

Silicon PNP Power Transistors The 2SB675 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): -60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -3A
- Collector Dissipation (PC): 25W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- Transition Frequency (fT): 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)

The transistor is available in a TO-220 package.