Silicon PNP Power Transistors The 2SB674 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various companies, including Toshiba. The key specifications for the 2SB674 transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -35V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -35V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Operating and Storage Junction Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for detailed information and application guidelines.