Silicon PNP Power Transistors The 2SB668 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in power amplification and switching applications. Below are the key specifications:

- **Transistor Type**: PNP
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Maximum Collector Current (IC)**: 7A
- **Maximum Power Dissipation (Pc)**: 80W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package Type**: TO-220

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.