BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR The 2SB649 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -180V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -200V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB649 transistor and are based on the datasheet provided by Hitachi.

BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR The part 2SB649 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Hitachi. Below are the key specifications for the 2SB649 transistor:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific variant)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions. Always refer to the official datasheet for detailed performance characteristics and application guidelines.