POWER TRANSISTORS(6.0A,85V,40W) The 2SB633 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.

POWER TRANSISTORS(6.0A,85V,40W) The 2SB633 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SAY. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB633 transistor as provided by SAY.