PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications The 2SB631K is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB631K transistor. Always refer to the official datasheet for precise details.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications The 2SB631K is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the key specifications of the 2SB631K transistor:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -3A
- **Power Dissipation (P_C)**: 25W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB631K transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.