PNP SILICON TRANSISTOR The 2SB605 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

PNP SILICON TRANSISTOR The 2SB605 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. According to the NEC (Nippon Electric Company) specifications, the 2SB605 transistor has the following key characteristics:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V
- **Collector Current (I_C):** -3A
- **Power Dissipation (P_D):** 25W
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions. Always refer to the official NEC datasheet for precise details and application guidelines.