Silicon transistor The 2SB601 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NEC. According to NEC specifications, the 2SB601 transistor has the following key characteristics:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 25W
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SB601 transistor. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.