Silicon transistor Part 2SB601 is a semiconductor device manufactured by NEC. It is a high-speed switching diode designed for general-purpose applications. The key specifications for the 2SB601 include:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific model and conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB601 transistor and are based on NEC's datasheet. The device is suitable for use in power amplification and switching applications.