Silicon PNP Power Transistors The part 2SB566A is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP silicon epitaxial planar transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -2V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files for the 2SB566A transistor manufactured by HITACHI.

Silicon PNP Power Transistors The part number 2SB566A is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Hitachi. Below are the key specifications for the 2SB566A transistor:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Vce = -5V, Ic = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at Vce = -5V, Ic = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SB566A transistor.