PNP Plastic Encapsulated Transistor The 2SB561 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** -120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** -5V
- **Collector Current (Ic):** -3A
- **Collector Dissipation (Pc):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and typical values provided by Hitachi.

PNP Plastic Encapsulated Transistor The part 2SB561 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Corporation). Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -160V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.