Low-Frequency Power Amp Applications The 2SB560 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Total Power Dissipation (PT):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = -1A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = -0.5A, VCE = -5V, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB560 transistor and are used in various power amplification and switching applications.

Low-Frequency Power Amp Applications The 2SB560 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB560 transistor and are subject to standard manufacturing variations.

Low-Frequency Power Amp Applications The 2SB560 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NEC. According to NEC specifications, it has the following key characteristics:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PC)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SB560 transistor. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.