SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR The 2SB555 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS datasheet:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the TOS datasheet for the 2SB555 transistor.