(2SB548) PNP/NPN Silicon Epitaxial Transistor Part 2SB549 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. According to the NEC specifications, the key parameters for the 2SB549 transistor are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 25W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to 150°C  

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SB549 transistor.