PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS Part 2SB548 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various semiconductor companies. The NEC specifications for this transistor typically include the following key parameters:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 900mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 82 to 390 (depending on the specific variant and operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are standard for the 2SB548 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.