Silicon PNP Power Transistors The 2SB546 is a PNP silicon transistor commonly used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Power Dissipation (Pc):** 25W
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

Silicon PNP Power Transistors Part 2SB546 is a specific type of semiconductor device, and its manufacturer NEC (Nippon Electric Company) would have provided detailed specifications for this component. However, the factual information about the NEC specifications for part 2SB546 is not available in the provided knowledge base. For accurate and detailed specifications, you would need to refer to the official NEC datasheet or product documentation for the 2SB546 transistor.