General purpose amplification (?30V, ?1A) The 2SB1710TL is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = -5A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by ROHM for the 2SB1710TL transistor.