General purpose amplification (?30V, ?1A) Part 2SB1710 TL is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -2A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 100MHz)
- **Package**: TO-126

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.