Low frequency amplifier Part 2SB1707 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -2A
- **Power Dissipation (Pc)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-126

These specifications are based on the datasheet provided by ROHM for the 2SB1707 transistor.

Low frequency amplifier The 2SB1707 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (min)
- **Package**: TO-220F

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.