Low frequency amplifier **Introduction to the 2SB1705 Electronic Component**  

The 2SB1705 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Known for its reliable performance, this transistor is commonly used in audio amplifiers, power regulation circuits, and signal processing systems.  

With a collector-emitter voltage (VCEO) of -50V and a collector current (IC) of -3A, the 2SB1705 is suitable for medium-power applications. Its low saturation voltage and high current gain (hFE) ensure efficient operation in both linear and switching modes. The component is housed in a TO-126 package, providing a balance between thermal dissipation and compact design.  

Key features include robust construction, stable thermal characteristics, and compatibility with a wide range of circuit configurations. Engineers often select the 2SB1705 for its durability and cost-effectiveness in consumer electronics, industrial controls, and automotive systems.  

When integrating this transistor into a circuit, proper heat management and adherence to maximum ratings are essential to ensure longevity and optimal performance. Datasheets should be consulted for detailed specifications, including safe operating areas and temperature dependencies.  

Overall, the 2SB1705 remains a versatile choice for designers seeking a dependable PNP transistor for various electronic applications.

Low frequency amplifier The part number 2SB1705 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 60MHz
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SB1705 transistor.