Silicon PNP Power Transistors Part 2SB1655 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -500mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (at VCE = -5V, IC = -100mA, f = 100MHz)
- **Package**: TO-126

These specifications are typical for the 2SB1655 transistor as provided by ROHM.

Silicon PNP Power Transistors The 2SB1655 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
6. **Collector Current (IC)**: -3A
7. **Collector Dissipation (PC)**: 25W
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
11. **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
12. **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and test environments specified therein.