Trans GP BJT PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS Part 2SB1642 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. The key specifications are as follows:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 240 (at VCE = -5V, IC = -500mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (at VCE = -5V, IC = -500mA, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

Trans GP BJT PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS Part 2SB1642 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Applications**: Designed for general-purpose amplification and switching applications.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
6. **Collector Current (IC)**: -1.5A
7. **Total Power Dissipation (PT)**: 900mW
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
11. **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (at VCE = -5V, IC = -150mA, f = 100MHz)
12. **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SB1642 transistor. Always refer to the official datasheet for detailed and precise information.