Silicon PNP Power Transistors ITO-220 package The part 2SB1640 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
6. **Collector Current (IC)**: -1.5A
7. **Collector Dissipation (PC)**: 900mW
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
11. **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)
12. **Package**: TO-126

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions unless otherwise noted.