Low-VCE(sat) bipolar transistor Part 2SB1628 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NEC. The key specifications for this transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon (Si)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Power Dissipation (PC)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard datasheet information provided by NEC for the 2SB1628 transistor.