Power Transistor (−100V , −2A) Part 2SB1580 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications for the 2SB1580 transistor:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220 (standard package for power transistors)

These specifications are typical for the 2SB1580 transistor and are used in various power amplification and switching applications. Always refer to the official datasheet for detailed and precise information.