Medium Power Transistor (−60V, −2A) The 2SB1561 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications of the 2SB1561 transistor:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions. Always refer to the official datasheet for detailed information.