TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (DARLINGTON POWER TRANSISTOR) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The **2SB1557** from **TOSHIBA** is a **PNP bipolar junction transistor (BJT)** designed for general-purpose amplification and switching applications. With a **collector-emitter voltage (V_CE)** rating of **-50V** and a **collector current (I_C)** of **-3A**, this transistor is suitable for medium-power circuits in audio amplifiers, power regulators, and signal processing systems.  

Featuring a **low saturation voltage**, the 2SB1557 ensures efficient operation in switching applications, minimizing power loss. Its **high current gain (h_FE)** of **60 to 320** provides reliable signal amplification, making it a versatile choice for various electronic designs. The transistor is housed in a **TO-126 package**, offering a balance between compact size and thermal performance.  

Engineers and designers often select the 2SB1557 for its **robust construction** and **consistent performance** under moderate load conditions. When used in conjunction with complementary NPN transistors, it enables efficient push-pull configurations in audio and power supply circuits.  

For optimal performance, proper heat dissipation and adherence to specified operating conditions are recommended. The 2SB1557 remains a dependable choice for applications requiring a cost-effective, medium-power PNP transistor with reliable amplification and switching characteristics.