The **2SB1495** is a PNP bipolar junction transistor (BJT) developed by **TOSHIBA**, designed for high-power amplification and switching applications. With a collector-emitter voltage (**V_CEO**) of **-60V** and a collector current (**I_C**) rating of **-15A**, this transistor is well-suited for demanding circuits requiring robust performance.  

Featuring a low saturation voltage and high current gain, the **2SB1495** ensures efficient operation in power control systems, audio amplifiers, and motor drivers. Its **TO-220** package provides effective heat dissipation, making it reliable in high-temperature environments.  

Key specifications include a power dissipation (**P_C**) of **80W** and a transition frequency (**f_T**) of **20MHz**, balancing speed and power handling. Engineers often pair it with complementary NPN transistors for push-pull configurations.  

TOSHIBA’s **2SB1495** is a dependable choice for applications requiring durability and high current capacity. Its performance characteristics make it a preferred component in industrial and consumer electronics where efficiency and thermal stability are critical.  

For detailed usage, always refer to the official datasheet to ensure proper circuit integration and safe operating conditions.