Power Transistor (-80V, -4A) Part 2SB1474 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. The key specifications are:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the typical characteristics provided by ROHM for the 2SB1474 transistor.

Power Transistor (-80V, -4A) Part 2SB1474 is a PNP silicon epitaxial planar transistor commonly used for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type**: PNP transistor
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Power Dissipation (PD)**: 900mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92 (common through-hole package)

These specifications are typical for general-purpose transistors and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.