PNP epitaxial silicon power transistor Part 2SB1453 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by NEC. The key specifications from the NEC datasheet are:

- Collector-Base Voltage (VCBO): -50V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -1.5A
- Total Power Dissipation (PT): 1W (at Ta=25°C)
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55 to +150°C

The transistor is designed for general purpose amplifier applications and switching. It is housed in a TO-92 package. The electrical characteristics are specified at Ta=25°C unless otherwise noted.