High Current Switching Transistor The part 2SB1450 is a PNP silicon transistor manufactured by various companies, including Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the collector current and conditions)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical and can vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.