Small-signal device The UTG 2SB1440 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by UTG. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (at IC = 1A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT):** 10MHz (at IC = 1A, VCE = -5V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the UTG 2SB1440 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

Small-signal device The 2SB1440 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by 长电 (Changjiang Electronics). Its specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB1440 transistor and are used in various power amplification and switching applications.

Small-signal device The 2SB1440 is a PNP silicon transistor manufactured by DIODES. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PD)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB1440 transistor as provided by DIODES.