Silicon power transistor Part 2SB1430 is a PNP transistor manufactured by ROHM Semiconductor. According to the NEC specifications provided in Ic-phoenix technical data files, the key parameters for the 2SB1430 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SB1430 transistor.