Power transistor (?20V, ?2A) The 2SB1427 T100E is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Its key specifications include:

- **Type**: PNP transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -7A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -3A)
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz (min)
- **Package**: TO-220F

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.