Power transistor (?20V, ?2A) The part number 2SB1427 T100E is a PNP transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PD)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220F (isolated type)

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.