Low VCE(sat) Transistor (?20V, ?3A) The part 2SB1424T100R is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SZ. Its key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -120V
- **Collector Current (Ic)**: -10A
- **Power Dissipation (Pc)**: 100W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and test environments defined by SZ.

Low VCE(sat) Transistor (?20V, ?3A) The 2SB1424T100R is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220F

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.