IC Phoenix logo

Home ›  2  › 211 > 2SB1424T100Q

2SB1424T100Q from ROHM

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

14.648ms

2SB1424T100Q

Manufacturer: ROHM

Low VCE(sat) Transistor (?20V, ?3A)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SB1424T100Q ROHM 78000 In Stock

Description and Introduction

Low VCE(sat) Transistor (?20V, ?3A) The **2SB1424T100Q** is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for power amplification and switching applications. This electronic component is known for its robust construction, efficient thermal management, and reliable operation under demanding conditions.  

With a collector-emitter voltage (VCEO) of -100V and a collector current (IC) rating of -7A, the 2SB1424T100Q is well-suited for use in power supplies, motor control circuits, and audio amplifiers. Its low saturation voltage ensures minimal power loss, enhancing overall system efficiency. The transistor also features a high current gain (hFE), contributing to stable performance in various circuit configurations.  

Encased in a TO-220F package, the 2SB1424T100Q offers excellent heat dissipation, making it ideal for applications requiring prolonged operation at elevated temperatures. Engineers and designers often choose this component for its durability and consistent performance in industrial and consumer electronics.  

When integrating the 2SB1424T100Q into a circuit, proper heat sinking and adherence to recommended operating conditions are essential to maximize its lifespan and efficiency. Its specifications make it a versatile choice for both switching and linear amplification purposes, ensuring reliable functionality across diverse electronic systems.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SB1424T100Q 1000 In Stock

Description and Introduction

Low VCE(sat) Transistor (?20V, ?3A) The 2SB1424T100Q is a PNP silicon epitaxial planar transistor. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -2A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Package**: TO-220F

These specifications are typical for the 2SB1424T100Q transistor.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips