- Collector-Base Voltage (VCBO): -60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -3A
- Collector Dissipation (PC): 25W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Transition Frequency (fT): 20MHz
- Package: TO-220F (isolated type)

The transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications. It features high current capability, low saturation voltage, and high-speed switching performance. The TO-220F package provides electrical isolation between the transistor and the heatsink.