PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC-DC Converter, Motor Driver Applications The UTG (Under the Gun) part 2SB1396 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM Semiconductor. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz (min)
- **Package:** TO-126

These specifications are typical for the 2SB1396 transistor and are subject to standard manufacturing variations.