Low frequency transistor (?20V,?5A) The 2SB1386T100Q is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PD)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Package**: TO-252 (DPAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by ROHM for the 2SB1386T100Q transistor.