Silicon PNP Power Transistors TO-220F package The 2SB1381 is a PNP transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific model and conditions)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SB1381 transistor and are based on Toshiba's datasheet. Always refer to the official datasheet for precise details and application guidelines.