Silicon PNP Power Transistors TO-220F package The 2SB1375 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): -50V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -3A
- Collector Dissipation (PC): 25W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- Transition Frequency (fT): 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- Package: TO-220

These specifications are typical for the 2SB1375 transistor as provided by Toshiba.