2SB1367Manufacturer: SANKEN Silicon PNP Power Transistors | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
2SB1367 | SANKEN | 18 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon PNP Power Transistors Part 2SB1367 is a semiconductor device manufactured by SANKEN. It is a PNP bipolar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V These specifications are typical for the 2SB1367 transistor and are subject to standard operating conditions. Always refer to the official datasheet for precise details. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
2SB1367 | K | 68 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon PNP Power Transistors The **2SB1367** is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Known for its reliable performance, this component is commonly used in audio amplifiers, power regulation circuits, and low-frequency signal processing.  
With a collector-emitter voltage (VCE) rating of **-50V** and a collector current (IC) of **-3A**, the 2SB1367 is suitable for medium-power applications. Its high current gain (hFE) ensures efficient signal amplification, while its low saturation voltage enhances energy efficiency in switching circuits.   The transistor is housed in a **TO-126** package, providing a balance between compact size and thermal dissipation. Proper heat sinking is recommended for high-load operations to maintain stability and longevity.   When integrating the 2SB1367 into a circuit, designers should adhere to standard BJT biasing techniques and ensure proper current and voltage limits are observed. Its complementary NPN counterpart, the **2SD1962**, can be used in push-pull configurations for improved performance in audio and power applications.   Overall, the 2SB1367 is a versatile and dependable component, making it a practical choice for various electronic designs requiring PNP transistor functionality. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
2SB1367 | KEC | 42 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon PNP Power Transistors The **2SB1367** is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Known for its reliable performance, this component is commonly used in audio amplifiers, power regulation circuits, and low-frequency signal processing.  
With a collector-emitter voltage (VCEO) of **-50V** and a collector current (IC) rating of **-3A**, the 2SB1367 is suitable for medium-power applications. Its high current gain (hFE) ensures efficient signal amplification, while its compact TO-220 package allows for effective heat dissipation, making it a practical choice for various circuit designs.   Engineers and hobbyists often favor the 2SB1367 for its robustness and ease of integration into existing systems. When used in switching circuits, it provides fast response times, minimizing power loss. Proper heat sinking is recommended for optimal performance in high-current applications.   As with any transistor, careful consideration of biasing and load conditions is essential to ensure longevity and stability. The 2SB1367 remains a dependable option for those seeking a versatile PNP transistor for amplification and control purposes. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips